隨著落戶于武漢東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)建設(shè)，中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于邁出實(shí)質(zhì)性步伐。對(duì)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的重要性，已經(jīng)毋 庸多言。無論是發(fā)展消費(fèi)電子，還是數(shù)據(jù)中心，存儲(chǔ)器都是必不可少的關(guān)鍵組件。在中國(guó)每年進(jìn)口的大量集成電路芯片中1/4為存儲(chǔ)器。這樣巨大的需求量，如果 完全依靠海外供應(yīng)，對(duì)于產(chǎn)業(yè)發(fā)展和信息安全保障，都是明顯的軟肋。
圍繞中國(guó)要不要發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界有觀點(diǎn)認(rèn)為，中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)錯(cuò)過最好的時(shí)機(jī)，哪怕再早6~7年(2009年)，那時(shí)全球的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍可 勉強(qiáng)算得上是“多頭”格局，中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器，仍有更多合作的選擇。此后發(fā)生了奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)、爾必達(dá)被收購(gòu)等變動(dòng)?？墒乾F(xiàn)在，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)高度壟斷，專利技 術(shù)成為中國(guó)企業(yè)繞不開的難題。
但是，我們更要強(qiáng)調(diào)的是，“亡羊補(bǔ)牢，猶未為晚”。雖然我們喪失了一個(gè)相對(duì)有利的入局機(jī)會(huì)，但是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有一個(gè)重要特點(diǎn)，即技術(shù)革新永遠(yuǎn)不會(huì)停滯。創(chuàng)新技術(shù)的出現(xiàn)，市場(chǎng)需求的轉(zhuǎn)變，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的變化，企業(yè)發(fā)展速度的換檔，都會(huì)給后進(jìn)入者彎道超車的機(jī)會(huì)。
3D閃存技術(shù)正是當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)面臨的一個(gè)重大發(fā)展機(jī)遇。NAND閃存有平面閃存和3D閃存之分。平面閃存是存儲(chǔ)單元在晶圓表面二維平面排列，3D 閃存通過增加存儲(chǔ)疊層，實(shí)現(xiàn)三維的存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)。平面閃存進(jìn)入1x納米節(jié)點(diǎn)之后，器件耐久性和數(shù)據(jù)保持特性持續(xù)退化，企業(yè)已經(jīng)很難解決集成度提高和成本控 制間的矛盾，采用3D閃存技術(shù)已經(jīng)不可避免。
目前三星是唯一能量產(chǎn)3D NAND的廠商，東芝(日本)和海力士(韓國(guó))也都已發(fā)布2016年48層3D NAND的量產(chǎn)計(jì)劃。然而，不同于基于微縮技術(shù)的平面閃存，3D閃存的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且除了三星，其他企業(yè)在3D閃存布 局方面走得并不遠(yuǎn)。中國(guó)企業(yè)有機(jī)會(huì)通過技術(shù)合作、專利授權(quán)許可，快速切入該領(lǐng)域。同時(shí)還能避免國(guó)際企業(yè)在傳統(tǒng)技術(shù)研發(fā)中的設(shè)備折舊優(yōu)勢(shì)。
根據(jù)DRAM exchange估計(jì)，2016年年底3D NAND將占全球NAND的20%，而去年僅為6%。3D閃存技術(shù)等、存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然擁有大量可以深入挖掘的空間。這也正是中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的希望所在。
