Micron Technology和 Intel 正在預(yù)熱3D XPoint存儲器，更低價(jià)格和持久存儲將超越DRAM。
Micron和Intel已經(jīng)預(yù)覽了新型存儲器技術(shù)，并稱其速度千倍于NAND，耐久性千倍于DRAM，并提供十倍于目前應(yīng)用于固態(tài)盤中的NAND閃存的存儲密度。
被稱為3D XPoint存儲器的這項(xiàng)技術(shù)由Micron和Intel共同開發(fā)。兩家已經(jīng)開始生產(chǎn)128GB容量的閃存模具。樣品預(yù)計(jì)將于2015年末面世，而基于3D XPoint的新品發(fā)布最快將于2016開始。
新技術(shù)提供幾近DRAM的速度和持久存儲。
價(jià)格方面，預(yù)計(jì)將介于NAND和DRAM之間。
3D XPoint memory采用了交叉點(diǎn)的架構(gòu)模式。與使用晶體管不同，3D XPoint存儲單元的讀寫都通過發(fā)送給每個(gè)選擇器的電壓變化發(fā)生。
“這意味著你可以進(jìn)行更多的寫操作而不用擔(dān)心耐久性的問題，”Intel非易失性存儲解決方案部門總經(jīng)理兼高級副總裁Rob Crooke說道，“3D XPoint有十倍于NAND的密度并且它
是非易失的，可以作為永久存儲。這對于很多人來說都是根本性的突破。”
“所有人都想要做到交叉點(diǎn)架構(gòu)，因?yàn)檫@將給予存儲單元最有效的耐久性并提供最高的密度。交叉點(diǎn)架構(gòu)非常重要。”
