在完成對SanDisk公司的收購之后，西部數(shù)據(jù)正積極利用ReRAM——即電阻式RAM技術(shù)——對英特爾與美光打造的XPoint發(fā)起沖擊。
去年10月，SanDisk方面曾經(jīng)與惠普企業(yè)業(yè)務(wù)公司聯(lián)手對抗XPoint。雙方簽訂了合作協(xié)議以開發(fā)存儲級內(nèi)存(簡稱SCM)，即一款擁有 DRAM級訪問速度的非易失性存儲介質(zhì)。這意味著其數(shù)據(jù)訪問速度要遠(yuǎn)高于NAND。雙方當(dāng)時曾經(jīng)表示，其SCM技術(shù)“預(yù)計能夠在速度上達(dá)到閃存存儲方案的 1000倍，使用壽命亦可達(dá)閃存存儲方案的1000倍。”
惠普方面隨后拿出了自己的憶阻器技術(shù)，而SanDisk則打造出ReRAM技術(shù)。在西部數(shù)據(jù)收購SanDisk之后，我們一直在等待著ReRAM能 否仍然成為反XPoint的有力武器。另外，追溯至2014年，西部數(shù)據(jù)所收購的HGST也曾經(jīng)展示過其讀取延遲僅為1.5微秒的相變式內(nèi)存(簡稱 PCM)設(shè)備。這應(yīng)該也是一款有潛力對抗XPoint的解決方案。
在上周的閃存記憶體峰會期間，西部數(shù)據(jù)企業(yè)內(nèi)存技術(shù)部門執(zhí)行副總裁Siva Sivaram透露稱，西部數(shù)據(jù)方面將專注于利用3D ReRAM技術(shù)對抗XPoint。ReRAM在彌合DRAM與NAND之間的性能與成本鴻溝方面，優(yōu)勢要較PCM更加明顯。
Anandtech網(wǎng)站轉(zhuǎn)載了Sivaram使用的演示文稿，感興趣的朋友可以直接點(diǎn)擊查看。SCM今年將以高速存儲方案的姿態(tài)出現(xiàn)，并將在 2017年作為DRAM擴(kuò)展方案，而2018到2019年間的發(fā)展目標(biāo)是逐步取代DRAM，最終于2020年成為通用型內(nèi)存存儲介質(zhì)。
對于Sivaram而言，如今的存儲級內(nèi)存的價格/性能定位處于NAND與DRAM之間，其中NAND的訪問速度約在10萬到25萬納秒，而 DRAM則為50到100納秒。另外，DRAM的每GB使用成本要比NAND高出20倍。他表示SCM的訪問延遲水平在250到5000納秒之間，并指出 其使用成本為NAND的四到五倍。
西部數(shù)據(jù)ReRAM技術(shù)延遲水平示意圖
Sivaram還公布了ReRAM-DRAM成本關(guān)系預(yù)期發(fā)展圖，并通過一份演示文稿指出DRAM目前的成本為ReRAM的兩倍，而到2023年這 一成本對比關(guān)系將達(dá)到二十倍，這主要是受到ReRAM技術(shù)改進(jìn)與量產(chǎn)化的推動。他同時表示，西部數(shù)據(jù)的ReRAM將采取分層架構(gòu)，類似于3D NAND以及XPoint。
SanDisk方面曾于2013年致力于開發(fā)一款雙層、32 Gbit、24納米交叉點(diǎn)ReRAM晶片，其中交叉點(diǎn)一詞是指該晶片的架構(gòu)設(shè)計思路。很明顯，其與同樣使用交叉點(diǎn)架構(gòu)但制造材料完全不同的英特爾/美光 XPoint方案有所區(qū)別，后者也并沒有使用電阻式RAM技術(shù)。事實(shí)上，XPoint使用的是硫系晶體的批量變化機(jī)制，類似于PCM的設(shè)計方向。不過英特 爾與美光雙方曾再三強(qiáng)調(diào)，其XPoint并不屬于PCM技術(shù)。
他同時表示，考慮到ReRAM的延遲水平、使用壽命、成本、3D可擴(kuò)展性、規(guī)模化與容量效率外加生態(tài)系統(tǒng)支持，西部數(shù)據(jù)選擇了它作為SCM實(shí)現(xiàn)方 案。其可部署在機(jī)架規(guī)模的服務(wù)器節(jié)點(diǎn)設(shè)計體系當(dāng)中，并借此訪問共享式與池化SCM，并利用CPU、存儲在各類計算設(shè)備甚至是智能手機(jī)當(dāng)中構(gòu)建組合式基礎(chǔ)設(shè) 施——西部數(shù)據(jù)想得確實(shí)夠遠(yuǎn)。
我們目前還不太清楚ReRAM技術(shù)在IOPS與數(shù)據(jù)吞吐能力方面的具體性能參數(shù)，也不了解其設(shè)備規(guī)格及發(fā)展路線圖; 該項(xiàng)技術(shù)距離實(shí)際生產(chǎn)還有很長的道路要走。西部數(shù)據(jù)公司將把自身3D NAND制造技術(shù)引入ReRAM芯片生產(chǎn)，且ReRAM晶片將擁有多層交叉點(diǎn)存儲單元。
西部數(shù)據(jù)可能利用SCM控制器與SCM介質(zhì)實(shí)現(xiàn)實(shí)際部署。
那么我們何時才能迎來實(shí)際產(chǎn)品?也許要到2017年的閃存記憶體峰會。當(dāng)然，具體時間點(diǎn)甚至有可能更加靠后。
