在進展緩慢的儲存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導，NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置，后來供應商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始 大受歡迎。
由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重復讀寫的次數(shù)的表現(xiàn)都比目前使用的NAND Flash更佳。
3D XPoint開發(fā)人員表示，新儲存裝置的速度和耐用度可達到NAND Flash的1,000倍，IBM則表示其開發(fā)的PCM在讀取和寫入速度方面比NAND Flash快上數(shù)百倍，預計可進行1,000萬次讀取循環(huán)。
雖然NAND Flash開創(chuàng)了固態(tài)硬碟(SSD)的時代，但在新技術(shù)不斷出現(xiàn)的情況下，或許這只是挑戰(zhàn)傳統(tǒng)存儲器和儲存裝置概念的開端而已。不論從哪一個角度來看，這 些新技術(shù)都讓NAND Flash看起來像是老舊技術(shù)。對于還在摸索NAND效能的使用者來說，很難想像這些數(shù)據(jù)代表的真正含意。
這些新儲存裝置與SSD基本上完全不同，而且更接近可永久儲存的存儲器。兩者之間的明顯的差異也反映在名稱上，外界將這些新裝置稱為儲存級存儲器(Storage-class memory)，聽起來雖然奇怪，但也算是相當公正且適當?shù)拿枋觥?/p>
SSD可以達成許多硬碟無法完成的事，而IBM、英特爾和美光開發(fā)的新技術(shù)，則宣稱可以消除儲存來源和存儲器之間的界線。以效能來看，這些新興技術(shù)允許存儲器分層與擴張，除了可以增加存儲器的處理能力與資源，還可減少伺服器自永久儲存裝置存取資料的次數(shù)。
有趣的是，連傳統(tǒng)硬碟(HDD)制造商也可受惠于SSD的普及，因為所有資料都必須有棲身之所。盡管近來推出的高容量NAND Flash裝置可以滿足需要，但是儲存空間超大的硬碟還是有價格方面的優(yōu)勢。
