三星將會(huì)在西數(shù)/東芝之前批量生產(chǎn)64層3D NAND，并且目前正在研究3D XPoint內(nèi)存技術(shù)。而西數(shù)/東芝此前宣布他們已經(jīng)開始生產(chǎn)64層3D NAND，對于三星來說，這正是一個(gè)宣布自己將會(huì)在年底前批量生產(chǎn)64層3D NAND的好時(shí)機(jī)。
據(jù)稱，西數(shù)/東芝將會(huì)在2017年年中開始批量生產(chǎn)最早的256Gbit芯片，比三星晚了近6個(gè)月。
三星的一位代表在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示："我們的目標(biāo)是在今年年內(nèi)批量生產(chǎn)采用我們4G-NAND的SSD。"
在這次會(huì)議上，來自三星內(nèi)存市場團(tuán)隊(duì)的Sewon Chun表示："我們正在有條不紊地執(zhí)行第四代V-NAND開發(fā)計(jì)劃以及18納米DRAM的批量生產(chǎn)工作。"這里所說的第四代V-NAND就是64層技術(shù)。
他補(bǔ)充說："整體需求預(yù)計(jì)是增長的，這要?dú)w功于市場對主流SSD和移動(dòng)應(yīng)用中高密度解決方案產(chǎn)品不斷增加的需求，下半年供需會(huì)變得更加緊密，因?yàn)?D NAND更新推遲導(dǎo)致供應(yīng)緊縮。"
這意味著價(jià)格可能會(huì)上漲。
西數(shù)/東芝將會(huì)通過從目前的第二代256Gbit BiCS 3D NAND芯片過渡到最終的512Gbit 64層芯片來提高密度。
三星的第三代48層V-NAND 3D NAND芯片是256Gbit，我們要看看64層V-NAND是否會(huì)直接翻番到512Gbit，讓三星趕超西數(shù)/東芝。而且這將意味著三星的SSD容量也會(huì)翻番，在容量以及每GB成本上趕超英特爾/美光、海力士以及西數(shù)/東芝。
西數(shù)/東芝正在努力擴(kuò)展64層技術(shù)向128層發(fā)展，可能會(huì)通過堆疊2個(gè)64層芯片來實(shí)現(xiàn)。
三星對自己未來分層技術(shù)的規(guī)劃三緘其口："在分層方面，我認(rèn)為現(xiàn)在談?wù)撐覀兛梢詫?shí)現(xiàn)多少層還為時(shí)過早。目前我們正在規(guī)劃中長期的迭代，同時(shí)考慮其他性能的內(nèi)存技術(shù)。"
三星在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上評論了英特爾/美光的3D XPoint內(nèi)存："關(guān)于你提到的3D交叉點(diǎn)技術(shù)，我認(rèn)為這主要是滿足了來自高端平臺的需求，而且被作為降低DRAM成本的一種替代性解決方案。但是我們 不認(rèn)為這將在整體市場中占據(jù)顯著份額。我們還認(rèn)為，這種技術(shù)要真正形成一個(gè)市場的話還需要一些時(shí)間。"
"而且我認(rèn)為存在一種局限性，3D交叉點(diǎn)并不是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。所以我們對于這種技術(shù)的基本對策是專注于DRAM和NAND，同時(shí)也關(guān)注新的內(nèi)存技術(shù)。"
我們認(rèn)為，這可能是一種電阻式RAM或者相變內(nèi)存。
