相對(duì)于三星48層，美光、SanDisk、東芝目前以16層差距被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
別惹我，我可是閃存業(yè)界的老大。
閃存業(yè)界的老大再度發(fā)出堅(jiān)定有力的咆哮;隨著強(qiáng)調(diào)3D閃存制程領(lǐng)導(dǎo)地位的一紙聲明，三星公司已經(jīng)開始著手打造48層、256 Gb 3D NAND芯片，并有望在2016年年內(nèi)正式投放市場(chǎng)。
三星公司目前正在發(fā)售的是32層3D V-NAND芯片，戴爾方面將其應(yīng)用在自己的Storage Centre陣列當(dāng)中。這些128 Gb芯片采用三層單元(簡(jiǎn)稱TLC)設(shè)計(jì)。
通過(guò)引入這額外的16層，同時(shí)毫無(wú)懸念地進(jìn)一步縮小光刻制程尺寸，三星公司一舉將該3D TLC閃存芯片的存儲(chǔ)容量倍增到了256 Gb。所謂256 Gb，也就是經(jīng)過(guò)換算后的32 GB。
這款閃存芯片將被用于對(duì)三星旗下各現(xiàn)有SSD產(chǎn)品進(jìn)行容量提升。因此目前戴爾方面所使用的、容量在480 GB到3.84 TB區(qū)間的PM1633 SSD產(chǎn)品將能夠由此獲得高達(dá)7.68 TB的數(shù)據(jù)承載能力，而戴爾也將順利把自家SC系列陣列的存儲(chǔ)容量提高一倍。
這將使其以更為積極的姿態(tài)以及更低閃存芯片數(shù)量應(yīng)對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)上的激烈競(jìng)爭(zhēng)。舉例來(lái)說(shuō)，在戴爾對(duì)三星的全新閃存技術(shù)方案進(jìn)行認(rèn)證之后，于今年7月首次亮相的、采用2U機(jī)架設(shè)計(jì)的90 TB SC4020將能夠在2U空間之內(nèi)實(shí)現(xiàn)最高180 TB存儲(chǔ)容量。
來(lái)自三星公司的SM1715 NVMe PCIe閃存卡也將能夠從現(xiàn)在的3.2 TB容量增長(zhǎng)至6.4 TB，這將顯著提高服務(wù)器設(shè)備的性能水平。
三星48層TLC 256 Gb V-NAND閃存芯片
其具體結(jié)構(gòu)如下：這款48層芯片采用3D Charge Trap Flash，整套體系當(dāng)中有18億個(gè)通孔貫穿這總計(jì)48層，包含的存儲(chǔ)單元數(shù)量高達(dá)853億個(gè)。根據(jù)每單元可容納3 bit計(jì)算，三星公司表示其總bit承載量高達(dá)2560億。
這款48層V-NAND芯片在運(yùn)行功耗方面較上代32層產(chǎn)品低30%，而且三星方面也確認(rèn)了制程工藝將進(jìn)一步縮小(根據(jù)我們的理解)。其生產(chǎn)流程在難度方面較上代128 Gb芯片低40%，因此生產(chǎn)成本將能夠得到顯著降低——干得漂亮!
三星公司希望能夠借助這些芯片在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上推出2 TB以上SSD產(chǎn)品(例如850 SSD的4 TB版本)，同時(shí)為企業(yè)及數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來(lái)采用PCIe NVMe以及SAS接口的高密度SSD方案。
看來(lái)一直被IO瓶頸以及數(shù)據(jù)等待所折磨的應(yīng)用程序即將迎來(lái)新一輪全面提速。
