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降低功耗70% 全球首款采用40nm內(nèi)存亮相
來源:  作者:ENI經(jīng)濟和信息化網(wǎng) 2010-08-24 11:28:56
最近,首款采用40nm工藝制程的內(nèi)存亮相了,它的最主要的賣點是更節(jié)能,更穩(wěn)定。

電腦超頻是DIY發(fā)燒友無限追求的終極目標(biāo)。我們知道,雖然超頻可以大幅提高電腦的性能,但對系統(tǒng)的散熱要求非常高;為了達到更高的頻率,液氮、水冷等成為玩家最常用的裝備。電腦超頻不僅對CPU、主板的品質(zhì)要求非常高,對內(nèi)存也有著極高的要求。

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內(nèi)存超頻能力如何,根據(jù)真正專家的分析及透過試驗得出結(jié)果,事實上并不取決于內(nèi)存條是否穿上了一層散熱片,而主要是與內(nèi)存顆粒的制作工藝與廠商的研發(fā)生產(chǎn)能力息息相關(guān),正如50nm的處理器比60nm 處理器超頻能力更出色、功耗更低一樣,所以技術(shù)是最重要的。

最近,首款采用40nm工藝制程的內(nèi)存亮相了,它的最主要的賣點是更節(jié)能,更穩(wěn)定。這款內(nèi)存出自于三星之手,結(jié)合了高性能與低消耗的環(huán)保產(chǎn)物,定位于主流市場。名稱中的40代表目前最先進的40納米級制程,內(nèi)存的電壓僅有1.5V,最低工作電壓僅為1.35V,相比于60納米的DDR2內(nèi)存1.8V的電壓,更加節(jié)能與環(huán)保。

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由于采用了40nm先進制程,三星幻影40內(nèi)存的顆粒體積更小,在同等尺寸的PCB板上內(nèi)存顆粒之間的間距更大,更利于散熱。另外,先進的工藝制程與同等容量與相同頻率的內(nèi)存相比至少可以降低70%以上的功耗,這就意味著幻影40內(nèi)存的發(fā)熱量更低,工作效率更高,更加穩(wěn)定。當(dāng)然,對于超頻玩家來說,更小的發(fā)熱量也就意味著可以更加容易的進行超頻。(來源:賽迪網(wǎng))

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