在營收結(jié)束連續(xù)6個季度上漲的同時，三星電子利潤增長也大幅放緩，這主要是受三星手機業(yè)務部門的拖累。受全球智能手機市場增長“幾乎停滯”及三星旗艦機型表現(xiàn)平平的影響，三星手機業(yè)務該季度營業(yè)利潤降至2.67萬億韓元，較去年同期的4.06萬億韓元下滑34%。
相比之下，半導體業(yè)務部門表現(xiàn)似乎很亮眼，以37.6%的營收貢獻了公司78%的營業(yè)利潤。營業(yè)利潤額11.6萬億韓元，實現(xiàn)了44.6%的同比增長。但相較此前5個季度分別達140%、204%、196%、120%和84%的同比增長率，三星半導體業(yè)務增速放緩的趨勢也愈發(fā)明顯。
其中包括貢獻了三星半導體84%營收的存儲業(yè)務，它曾成功幫助三星在2017年打破了英特爾25年的壟斷、成為新晉“全球第一大半導體廠商”，如今又成為三星半導體增長放緩的源頭，引起外界對其未來的擔憂。
“超級周期”或終結(jié)
過去兩年是存儲價格猛增、市場空前繁榮的兩年。
綜合數(shù)據(jù)顯示，2016年第一季度，全球DRAM營收為85.6億美元，較2015年第四季度的102.7億美元下降16.65%。不過此后，DRAM市場規(guī)模一路攀升，開啟了長達2年的“超級周期”。到2018年第一季度，該市場規(guī)模已增至230.8億美元，較2016年第一季度漲幅達169.63%。
一同進入“超級周期”的還有存儲領域另一主要市場——NAND閃存。
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)數(shù)據(jù)顯示，2016年第一季度，全球NAND市場總營收為80.64億美元，較此前一個季度的83.07億美元略降2.9%。但此后，該項數(shù)字幾乎連續(xù)季度增長，到2017年第四季度已增長至162.35億美元，較2016年第一季度漲幅超過101%。
世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2016年全球存儲元器件市場規(guī)模為767.7億美元，較2015年的772.1億美元略微有所下跌。不過到2017年，該市場規(guī)模已爆增至1239.7億美元。WSTS預計，2018年和2019年存儲市場規(guī)模將分別為1567.9億美元和1625.5億美元，增速將在隨后明顯放緩。
2018年第一季度，全球NAND市場已初現(xiàn)衰退，總營收降至157.41億美元，降幅約為3%。
有報告顯示，若要保持NAND閃存位元每年40%的增長率，該產(chǎn)業(yè)2017年和2018年(預計)實際所需投資應均為220億美元。然而實際上，幾大廠商的投資2017年達到280億美元，2018年更是將達310億美元，分別超出實際所需27%和41%。
報告顯示，“2018年初NAND閃存價格已開始下滑，預計第二季度以及之后的2019年該下滑趨勢仍將延續(xù)。”
“就NAND來說，現(xiàn)在業(yè)界的擔憂在于，由于3D NAND產(chǎn)出大幅增加，導致價格持續(xù)下跌，該市場早已進入供過于求的格局。”集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)資深協(xié)理吳雅婷對21世紀經(jīng)濟報道記者表示，“DRAM方面，雖然沒有因為制程轉(zhuǎn)進而出現(xiàn)位元成長大幅增加的狀況，但在三大廠持續(xù)擴增產(chǎn)能的帶動下，供給也是在逐步增長，可以說正要邁入供過于求的局面。”
在她看來，目前3D NAND市場最大的問題就是供給增速過快，已遠大于需求。“這主要是因為制程從2D轉(zhuǎn)向3D，使得位元成長大幅增加。”吳雅婷表示，“同時在高度競爭的市場架構(gòu)下，每家廠商都大幅增產(chǎn)，以維持市場占有率，導致供過于求的情況比DRAM市場嚴重。”
不過，對于該“超級周期”到期的具體時間節(jié)點，吳雅婷表示：“DRAM和NAND閃存市場的趨勢始終還是要回歸到供需之間的關系，以兩年期這樣的時間點劃分可能并不完全正確。”
中國廠商入局具指標意義
經(jīng)歷過早期的廠商整合與調(diào)整，如今全球DRAM產(chǎn)業(yè)已進入“三大廠”的寡頭格局：DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，在2018年第一季度，三星、SK海力士和美光這三大廠市占率分別為44.9%、27.9%和22.6%。
至于NAND市場，外界也猜測最終會形成和DRAM市場一樣高度集中的局面。2018年第一季度，三星、東芝、閃迪/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士和英特爾這六家廠商在NAND市場的占有率分別達到了37%、19.3%、15%、11.5%、9.8%和6.6%。
不過，在上述市場均表現(xiàn)強勢的美光科技7月初曾在中國遭遇重挫。7月3日，福建晉華和臺灣聯(lián)電分別通過各自官網(wǎng)發(fā)布聲明，稱因美光涉嫌專利侵權(quán)，福州中院已對其發(fā)布“訴中禁令”，裁定美光立刻停止在中國銷售、加工、制造、進口旗下數(shù)十款DRAM和NAND產(chǎn)品。
集邦咨詢DRAMeXchange預計，2018年中國內(nèi)需市場消化的全球DRAM和NAND 閃存產(chǎn)能分別為20%和25%。其中，美光科技20%的NAND 閃存產(chǎn)能和26%的DRAM產(chǎn)能均依賴于中國市場。
當時的分析就認為，美光面臨在中國市場禁止銷售部分產(chǎn)品的風險，加上中國廠商將于2019年正式入局，該市場的全球銷售版圖恐將發(fā)生洗牌。不過，美光依然有上訴權(quán)利，此案的后續(xù)影響將是全球存儲器產(chǎn)業(yè)關注的焦點。
目前，有三家中國半導體廠商正在進軍存儲領域，包括投入NAND 閃存市場的長江存儲，專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華。
“他們皆會在2018年完成初期產(chǎn)品的開發(fā)，并在陸續(xù)試產(chǎn)之后，于2019年上半年宣布量產(chǎn)。”吳雅婷表示，“雖然到2019年年底為止，這三大陣營的產(chǎn)能規(guī)模都還很小，但對整體存儲市場來說，仍是代表新進者的正式加入，具有指標性意義，三家中國廠商接下來的發(fā)展值得密切關注。”
在此前評論東芝閃存芯片(TMC)業(yè)務出售對NAND市場的影響時，數(shù)字存儲行業(yè)分析師Tom Coughlin也曾表示，與其說走向集中，存儲市場將擁有更多玩家。“這是多家中國閃存制造商崛起推動的結(jié)果。顯然，閃存行業(yè)的整合還未完成。”
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