存儲芯片行業(yè)在平面上增加存儲數(shù)據(jù)的存儲單元上存在著局限性,人們一直通過縱向堆積的3D技術(shù)來擴(kuò)展容量。例如,韓國SK海力士(Hynix)公司的存儲單元最高值為48層。該公司最近公布他們的技術(shù)可以將存儲單元提升至72層。通過這一技術(shù),該公司成功開發(fā)出72層256Gb容量的閃存存儲芯片。
此前,三星電子于2016年年底開始了第四代產(chǎn)品,即堆積64層存儲單元,批量生產(chǎn)了256Gb的快閃內(nèi)存芯片,而此次SK海力士公司的72層疊層生產(chǎn)是世界首創(chuàng)。SK海力士對外公布稱,可以最大限度地靈活使用現(xiàn)有的批量生產(chǎn)設(shè)備,比起現(xiàn)在正在生產(chǎn)的48層產(chǎn)品,其生產(chǎn)性能高出30%。此外,芯片內(nèi)部適用高速電路設(shè)計,速度提高兩倍,閱讀和書寫性能也提高了20%左右。
得益于人工智能、大數(shù)據(jù)、云存儲等,人們對3D快閃的需求正大大增加。市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測,今年全球快閃芯片市場規(guī)模為465億美元,2021年將達(dá)到565億美元。
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