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東芝借閃存層和氦氣加大SSD及磁盤容量
來源:ZDNet  :佚名 2016-07-12 10:28:14
在7月6日的一個內部投資者關系簡報會上,東芝存儲及電子設備解決方案公司總裁兼首席執(zhí)行官Yasuo Naruk主持,透露了關于東芝SSD和磁盤驅動器的戰(zhàn)略。

在7月6日的一個內部投資者關系簡報會上,東芝存儲及電子設備解決方案公司總裁兼首席執(zhí)行官Yasuo Naruk主持,透露了關于東芝SSD和磁盤驅動器的戰(zhàn)略。即東芝正在考慮提高閃存和磁盤容量來提高存儲收入,幫助陷入困境的公司實現(xiàn)增長。

他的幻燈片談到了"閃存第一,磁盤其次"。我們把順序反過來,因為磁盤部分更簡單一些,而3D NAND部分更詳細,而且對我們來說也更有趣。

氦氣技術降臨

據稱,東芝一直是唯一不使用充氦氣驅動器技術來提高盤片數(shù)量和驅動器容量的磁盤驅動器制造商。WDC收購HGST讓希捷最近效仿它推出了一款10TB驅動器。性能型磁盤驅動器被SSD取代,唯一還在增長的HDD市場是近線和大容量驅動器。

東芝最高容量的驅動器是8TB。這意味著它的市場重點是放在近線驅動器,而非高容量驅動器上。東芝將在2017年推出10TB驅動器,2018年計劃推出14TB和16TB的驅動器。東芝的一個圖表顯示,2019年會推出超過16TB的驅動器。

東芝認為磁記錄技術的改善將在2021年前進一步提高容量,SATA讀取密集型SSD的位成本在2023年之前都不會與近線磁盤驅動器成本相交合。

在2018年引入氦氣驅動器之后,東芝預測TDMR(二維磁記錄)將會在2019年出現(xiàn),MAMAR或者HAMR(微輔助或者熱輔助磁記錄)將會在2020年出現(xiàn)。

在這之后,廉價的讀取密集型企業(yè)SSD將開始取代近線磁盤驅動器。

NAND技術的發(fā)展

NAND技術正推動SSD容量朝著更多層化、推高3D NAND晶圓工廠產能的方向發(fā)展。

東芝預計自己將出貨NVMe/PCIE SSD以及企業(yè)級數(shù)據中心SAS和SATA SSD,外加客戶端NVME/PCIe及SATA SSD。數(shù)據中心的SSD需求將會增長,從2015年到2019年期間的年復合增長率為14%,閃存價格的不斷下滑將會讓整個SSD市場不斷擴張。這其中 的關鍵一點,是每個SSD晶圓的字位增加了,這取決于從2D或者盤片NAND向3D NAND裸片的轉移,從每個晶圓中獲得更好的產量。

東芝現(xiàn)在已經在量產的48層BiCS 2(Bit Cost Scalable gen 2)技術提供了256Gbit(32GB和TLC)芯片,但是三星引領者3D NAND市場,東芝必須追趕上晶圓合作伙伴WDC/SanDisk。東芝將會加速BiCS開發(fā)和生產,以滿足不斷擴大的需求,并保持價格競爭力。

BiCS 3很可能是64層和TLC的,或者Stiefel Niklaus MD Aaron Rakers猜測模片會縮小。今年9月將會制作出樣品,未來BiCS(我們猜測是第4代)可能會超過100層。東芝在2018財年應該會主要生產3D NAND。在2016財年到2018財年之間,東芝將會花費8600億日元來實現(xiàn)這個目標。

位于四日市的工廠將會利用大數(shù)據收集和大數(shù)據分析來改善他們的效率。制造和測試設備每天預計會產生16億條數(shù)據可用于分析,同時采用機器學習技術來改善分析。例如,可以自動分析產品圖片和測試結果來加速和改善決策。

2017年第一季度將會出現(xiàn)下一代SAS SSD,其連續(xù)讀寫帶寬要高于競品,而且功耗更低。而下一代PCIe SSD也將會在這個時候推出,容量要高于競品,且功耗更低,連續(xù)讀寫性能更好。

NAND單元技術將利用偽MLC(MLC -2bits/cell)閃存,據稱這種閃存運行得和SLC(1bit/cell)一樣快。據我們了解,這將提供企業(yè)級MLC耐用性以及保留特點,但是其密度只有MLC的一半,因為單元被用于過量配置了。

此外東芝還將支持24Gbit/s SAS和多鏈路PCIe Gen 4。還在考慮主機控制SSD來實現(xiàn)更好的性能管理和可靠性。

SSD的特性將通過使用Through Silicon Via (TSV)技術--東芝的TSV技術--實現(xiàn)改善,這個已經用于16模片堆棧NAND設備上的技術在去年閃存峰會上贏得了一個獎項。它具有"超過 1Gbps的I/O數(shù)據速率,要高于其他任何NAND閃存,同時功耗降低近50%,且功率很低"。

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Toshiba TSV方案

此前NAND模片是使用引線鍵合進行堆棧和封裝的。TSV技術利用垂直點擊和通孔穿過模片進行連接。東芝表示,這種技術實現(xiàn)了更高的數(shù)據IO速率,并降低了功耗。

東芝表示,將會利用所謂的超級堆棧技術突破100個3D NAND模片層。我們猜測它會通過實現(xiàn)Nano-Imprint lithography來縮小模片尺寸并降低成本。在生產階段的沉積和蝕刻將會提高效率。

預計在轉變到ReRAM(Resistive RAM)技術之前,我們還會看到有2代BiCS閃存的問世。

有一個主題是此次會議中沒有提及的,那就是QLC(4bits/cell)NAND,我們在想這是否意味著這項技術還沒有為公眾透露做好準備?因此,從這一點我們猜測到結論:

首先,我們應該不能錯誤的認為東芝會退出磁盤驅動器業(yè)務。

其次,我們可以假設WDC也持有類似的NAND愿景。

第三,英特爾/美光、三星和SK海力士都有他們各自的打算。

因此,閃存驅動器領域以及XPoint未來幾年將會成為一個存儲技術開發(fā)的絕佳展示之地,而NAND對磁盤驅動器市場的沖擊也將是持續(xù)不斷的。

編輯:張路麒
關鍵字:     SSD  東芝  閃存 
活動 直播間  | CIO智行社

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