正當中國集中國家意志，以戰(zhàn)略高度推進存儲芯片產業(yè)，英特爾也在積極調整產品方向和生產線所在地，抱緊中國大腿。英特爾剛剛宣布將投入55億美元在中國大連CPU晶圓廠，將它升級改造為3D閃存生產工廠。
今年的IDF大會上，英特爾中重點推介了3D XPoint技術，這種基于電阻非易失性內存存儲方案(可應用于DRAM內存、NAND閃存)，其理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤快千倍。
英特爾閃存
不過從實際應用來看，英特爾更傾向于生產3D NAND閃存，其讀寫速度也沒有理論中那么快，不會和三星、東芝、美光的3D閃存快多少。英特爾表示，中國大連工廠預計將從2016年下半年開始生產3D NAND閃存芯片。值得一提的是，三星更早在西安生產3D閃存。
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