跟蹤存儲技術(shù)如同坐過山車，有些技術(shù)是如此的炫酷，仿佛天空才是它們的極限，但也許正當(dāng)你驚訝不已時，你會發(fā)現(xiàn)坐著白色的車廂一下子回到了現(xiàn)實中。如此繁復(fù)的細(xì)節(jié)令你撓頭不已——包括成本、容量、耐久性以及集成問題，它仿佛更像一個科學(xué)工程而不是將徹底改變企業(yè)存儲的利器。
與技術(shù)觀察者相伴的是一直以來存儲系統(tǒng)革新的緩慢速度。在大多數(shù)的IT部門，存儲是IT系統(tǒng)的基石，微小的改變都可能成就不朽的事業(yè)。在IT領(lǐng)域，技術(shù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)往往是當(dāng)工程、科學(xué)以及研發(fā)結(jié)果轉(zhuǎn)化為實用技術(shù)并且是那種徹底改變某種規(guī)則的技術(shù)的時候。但狹小的存儲終歸是笨拙的，這些變化展開緩慢，很難確定什么技術(shù)可以作為里程碑。
在最近十年，對存儲沖擊最大的當(dāng)屬閃存，它打破了存儲的常規(guī)發(fā)展，擊中了每個存儲經(jīng)理人的神經(jīng)。我們可以看到一些趨勢表明固態(tài)存儲正處在轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
有三大變化可以支持我的觀點(diǎn)，包括我們所關(guān)注的固態(tài)存儲的技術(shù)、部署和實施。
關(guān)注點(diǎn)從芯片到系統(tǒng)
不久以前，很多關(guān)于固態(tài)存儲的討論都圍繞著芯片級及相關(guān)的技術(shù)。早期的閃存采購者往往考慮是選擇SLC還是MLC，尋求速度和耐久度與價格和容量之間的平衡。固態(tài)存儲廠商也會采用特制的ASIC芯片以及固件來延長固態(tài)存儲的壽命。
不過最近，這些探討似乎銷聲匿跡了，仿佛是很久之前的事情。這是因為閃存廠商已經(jīng)從芯片過渡到對支持技術(shù)的探討。SLC和MLC的討論已經(jīng)被擱置一旁，廠商對用戶承諾更多的是對其閃存產(chǎn)品提供一個長期的質(zhì)保。存儲采購者也將關(guān)注點(diǎn)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級別——固態(tài)技術(shù)是如何與應(yīng)用相結(jié)合的，關(guān)于ROI和TCO的探討包括傳統(tǒng)所要考慮的數(shù)據(jù)中心足跡和能量消耗等。
閃存選擇越來越多，與RAM鴻溝越來越小
另外一項拐點(diǎn)的指標(biāo)指的是固態(tài)存儲選項的多樣性和范圍。最初閃存進(jìn)入企業(yè)級市場是模擬SAS和SATA這種機(jī)械磁盤。Fusion-IO引領(lǐng)了將PCIe閃存用于提高單個服務(wù)器性能的“潮流”。這引起了一場關(guān)于閃存的討論，是硬盤的形式還是PCIe的形式，是共享存儲還是專有存儲。
隨之而來的是各種類型的固態(tài)存儲部署的增加，如SAS、SATA、DAS、PCIe、NVM Express、混合陣列、全閃存、基于DIMM的持續(xù)性存儲以及當(dāng)前的NVDIMM。固態(tài)存儲解決方案的軟件部分也非常之活躍，先進(jìn)的自動分層、緩存、去重壓縮、閃存池應(yīng)用等為價格不菲的硬件增加了不錯的功能。閃存相關(guān)的其他令人興奮的進(jìn)步還包括前文提到的NVDIMM，它能夠?qū)崿F(xiàn)近乎于內(nèi)存的持續(xù)性存儲，未來內(nèi)存和存儲的界限將更加模糊化。
應(yīng)用為王
說起固態(tài)存儲的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，最重要的就是關(guān)注點(diǎn)從固態(tài)存儲的軟硬件問題轉(zhuǎn)移到了固態(tài)存儲的實際應(yīng)用。廠商和用戶更加傾向于某一特定的應(yīng)用的提速選擇合適的固態(tài)存儲產(chǎn)品。很顯然閃存真的對市場產(chǎn)生了沖擊，但對性能的思考更加復(fù)雜，這也折射了今天選擇的復(fù)雜性。另外，在我們正在進(jìn)行的調(diào)查中發(fā)現(xiàn)超過三分之一的受訪用戶已經(jīng)在企業(yè)數(shù)據(jù)中心中部署了閃存。最初的部署必然是少量的，但有了樣板之后，固態(tài)存儲的部署之路必然被拓寬。幾年以前，固態(tài)存儲僅僅被用在一兩個關(guān)鍵應(yīng)用上，但如今，固態(tài)存儲的采購趨于平?；?，閃存也被用于更廣泛的應(yīng)用上。
下一個轉(zhuǎn)折點(diǎn)
企業(yè)級固態(tài)存儲在短時間內(nèi)已經(jīng)走了很長一段路，但大多數(shù)產(chǎn)業(yè)觀察者仍然期待閃存相關(guān)的新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)會到來。也許有一天3D架構(gòu)能夠讓閃存的架構(gòu)低于硬盤實現(xiàn)這個轉(zhuǎn)折?；蛘呤切碌拈W存技術(shù)，如MRAM或者憶阻器有了實際應(yīng)用，能夠代替NAND閃存，進(jìn)入閃存革新的一個新時期。我不知道那個會先到，但我打賭兩個都會發(fā)生，而且比我們想象的還要快。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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