固態(tài)硬盤深入人心，閃存產(chǎn)品跨越了從消費級到企業(yè)級，促成了全面的存儲技術(shù)改革升級，在這塊兵家之地上，已經(jīng)不在是原先傳統(tǒng)硬盤的四國鼎立，或者說希捷與西數(shù)的兩強對峙。面對這一片完全不可預期的市場，每一個身處其中的王牌廠商都要讓自己每一步走的沉穩(wěn)。
根據(jù)外媒的一些消息得知，閃存行業(yè)內(nèi)正在策劃一套新的融資方案，這套方案就是針對近兩年火熱的3D NAND芯片的開發(fā)以及代工體系的資金籌備項目。而近日的一個話題就是集中在國外的分析師對當前的3D NAND的成本論的探討，這一話題涉及到了諸多廠商以及各自旗下技術(shù)的成本代價，對這一直白的話題而言，誰會更有優(yōu)勢呢?
國外分析機構(gòu)一直在對NAND閃存芯片的代工制造體系成本進行核算，并將統(tǒng)計結(jié)果與傳統(tǒng)技術(shù)的生產(chǎn)線進行比對。為何要重新策劃一套融資方案?因為當面臨3D NAND轉(zhuǎn)型時所面臨的成本跨越是對從帶代工線到技術(shù)端的一次新的考驗。
3D NAND芯片的優(yōu)勢就是在于存儲密度的提升，要更高遠傳統(tǒng)的NAND芯片，但其制造難度也更高。舉例來講，最傳統(tǒng)的平面NAND生產(chǎn)線要求利用三沉積層進 行NAND電荷引導，而3D NAND芯片閃存的生產(chǎn)則需要四沉積層方能實現(xiàn)，這不單是對技術(shù)的考驗更是對成本進行了苛刻的要求。
國外分析機構(gòu)稱：“這意味著，現(xiàn)在已經(jīng)掌握了3D NAND技術(shù)的廠商要重新思考未來技術(shù)的成本問題，例如閃迪(其實就是東芝)的48層128Gb芯片，每晶粒MLC 3D NAND需要144個沉積層，而英特爾/美光的256Gb每晶粒MLC 3D NAND需要128個沉積層，三星的128Gb每晶粒MLC 3D NAND則需要96個沉積層。”
廠商加大投入 3D NAND五年內(nèi)成主力
我在 3月份的時候參觀了三星位于中國西安的SSD生產(chǎn)基地，作為最先使用3D NAND芯片的三星來講，整個制造流程可謂極度復雜。所以這種更為復雜的生產(chǎn)流程對良品率造成的影響將成為產(chǎn)品供應商眼中的關(guān)注重點，我在參觀三星工廠 時，在廠區(qū)內(nèi)工作人員進行了極其嚴密的參觀保護，所以我本沒有參觀到真正的流水線，而是在他們單獨羅列的閃存博物館內(nèi)進行了瀏覽。所以沒有人會告訴你，即 便是代工運營商也不會公開討論具體良品率。PS：良品率可以說是當前3D NAND成本非常關(guān)鍵的一個環(huán)節(jié)。
去年，全球閃存存儲容量總產(chǎn)量約為61EB，其中僅僅只有3%為3D NAND，但3D NAND的占有率在未來一定會不斷提升。國外Gartner公司目前預計，3D NAND在全球總體NAND閃存生產(chǎn)容量中的占比在2015年年內(nèi)將提升至約4%，之后將以每年至少1%的速度擴大占有率。再次回到我們上面的內(nèi)容中，在 擴大的市場中，誰能控制住成本，誰將拿到更多未來閃存存儲的絕對市場。
閃迪在今年的一次發(fā)布會中稱，到2018年3D NAND芯片將占用業(yè)界晶圓生產(chǎn)問題的50%甚至更高。閃迪認為“3D NAND總體生產(chǎn)容量將于2017年超過傳統(tǒng)閃存容量，這一切都要歸功于單一晶圓能夠在3D NAND上帶來更為可觀的存儲容量(Gb)。而3D晶圓生產(chǎn)規(guī)模到2018年將首次超越傳統(tǒng)的晶元安裝基數(shù)。
三星、閃迪(東芝)以及美光、英特爾三方已經(jīng)宣稱將在3D NAND制造領(lǐng)域投入總計180億美元以上的巨額資金，三星公司在中國西安興建的3D NAND制造設施總計涉及超過70億美元整體資本投入。
傳統(tǒng)硬盤成本仍有優(yōu)勢
我在去年10月份也參觀了美光公司于新加坡的制造工廠。美光今年2月又花費40億美元用于擴大這家工廠的制造產(chǎn)量。相比之下，希捷與西部數(shù)據(jù)作為傳統(tǒng)硬 盤的代表，在過去三年中的總體資本支出約為43億美元。國外研究機構(gòu)利用電子表格建模生成了以下圖表，具體內(nèi)容為至2018年NAND與希捷/西部數(shù)據(jù)磁 盤驅(qū)動器的資本支出對比結(jié)果：二者的差異可謂非常明顯，特別是在閃存與磁盤的每TB資本支出數(shù)字對比方面。從不同年份出發(fā)，閃存的每TB制造成本與磁盤驅(qū) 動器相比一直在53倍到162倍之間浮動。
龐大的支出與產(chǎn)品產(chǎn)量風險意味著，投資分析師對于新的融資計劃無法做出準確評估，很難預測閃存制造運營商未來的預期經(jīng)營收益。生產(chǎn)方面的可怕難度與潛在失 誤風險很可能給相關(guān)企業(yè)帶來嚴重的業(yè)務績效影響，同時也會造成不少供應難題。通往3D閃存彼岸的涅槃之路可謂迷霧重重，而且就目前而言我們還遠看不到明確 的終點。
總結(jié)
好了，我最后來盤點一下目前在戰(zhàn)場上的這些品牌之間的地位
三星：最早拿出3D V-NAND的三星，在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位是肯定的，雖然在市場中的反映好壞參半，尤其去年845的XX門(懂的自然懂)，讓三星在我們上面提到的品控上任然存在問題，保住地位，就看今年的新品了。
閃迪/東芝：
兩 強在各自提供著自己擁有的技術(shù)底盤，尤其閃迪在近1年時間里活躍在全閃存技術(shù)上，為其在企業(yè)級的地位大大加劇籌碼，回歸到消費級產(chǎn)品上，閃迪依然有著足夠 的用戶口碑，有東芝提供flash，在3D NAND的產(chǎn)品研發(fā)上，速度并不會慢。同時東芝已經(jīng)計劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產(chǎn)。
intel/美光：
對于intel，我只說一些個人觀點，其在閃存產(chǎn)品上的活躍度一直不高不低，曾經(jīng)在很長時間里讓人摸不到節(jié)奏。直到今年，美光和intel決定攜手共同研發(fā)3D NAND，這一舉動對于市場的影響不容低估，但兩者能夠促成火花，拭目以待。
SK海力士：
SK Hynix應該是在市場中優(yōu)勢較小的制造商，雖然聲明2015年第3季開始生產(chǎn)36層堆疊MLC V-NAND，但目前其下游客戶群體并不優(yōu)秀(山寨?是吧?)2014年底SK海力士已經(jīng)完成研發(fā)24層結(jié)構(gòu)V-NAND技術(shù)，在2015年底將推出48 層TLC V-NAND，正式加入V-NAND競局。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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