無論是在商業(yè)領(lǐng)域還是IT領(lǐng)域，利用強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，來實(shí)現(xiàn)1+1大于2理想效果是很多廠商采用的方式，但真正實(shí)現(xiàn)起來并不如想像中那么輕而易舉。近日， 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司宣布在閃存方面合作，這兩個(gè)巨頭的合作將很可能帶來閃存領(lǐng)域的新一輪革命，推動(dòng)閃存產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
眾所周知，閃存是目前在最輕便的筆記本電腦、最快速的數(shù)據(jù)中心以及幾乎所有手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)設(shè)備中經(jīng)常被使用到的存儲(chǔ)技術(shù)，但由于發(fā)展時(shí)間較短，且不同廠商產(chǎn)品技術(shù)不盡相同，所以造成閃存市場(chǎng)的產(chǎn)品參差不齊，使得閃存的整個(gè)市場(chǎng)非常混亂。
英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)全新3DNAND
日 前，英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)全新3DNAND技術(shù)，采用垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度。利用該技術(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高 達(dá)全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。三倍的存儲(chǔ)設(shè)備，讓更小的空間內(nèi)可以容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約與能耗降低。
當(dāng)前以平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展的極限，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。摩爾定律描繪了持續(xù)性能提升與成本降低的發(fā)展軌跡。而通過保持 摩爾定律與閃存存儲(chǔ)解決方案的一致性，3DNAND技術(shù)將有望對(duì)閃存存儲(chǔ)解決方案產(chǎn)生重大影響，從而讓閃存存儲(chǔ)的存儲(chǔ)容量、價(jià)格等更加趨于合理，在不用 領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。
鎂光科技的內(nèi)存技術(shù)與解決方案部門副總裁BrianShirley表示："通過鎂光與英特爾的通力協(xié)作，雙方 共同打造出了業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)，通過該技術(shù)能夠提供當(dāng)今其他閃存技術(shù)難以匹敵的更高密度、性能和效率，這一3DNAND技術(shù)擁有徹底改變整個(gè)閃存 市場(chǎng)格局的巨大潛力"
3DNAND
閃存擁有的眾多的市場(chǎng)，從智能手機(jī)到 針對(duì)閃存優(yōu)化的超級(jí)計(jì)算機(jī)，我們所看到的閃存所產(chǎn)生的影響還僅僅是冰山一角英特爾公司高級(jí)副總裁兼非易失性存儲(chǔ)解決方案事業(yè)部總經(jīng) 理RobCrooke表示："最新的3DNAND技術(shù)再次彰顯了我們的這一堅(jiān)定承諾，該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新可顯著改善密度與成本問題，并將顯著加快固態(tài)存 儲(chǔ)在計(jì)算平臺(tái)中的應(yīng)用。"
創(chuàng)新工藝架構(gòu)帶來全新性能提升
下面我們來看一下這項(xiàng)技術(shù)全新的3DNAND技術(shù)帶來了哪些 優(yōu)勢(shì)變化，3DNAND技術(shù)最重要的特點(diǎn)之一是其基礎(chǔ)存儲(chǔ)單元。它基于多年來大批量制造的平面結(jié)構(gòu)閃存設(shè)計(jì)改進(jìn)而成，并首次在3DNAND技術(shù)中使 用，而浮柵單元是提升性能、質(zhì)量和可靠性的一個(gè)關(guān)鍵設(shè)計(jì)選擇。
全新的3DNAND技術(shù)可垂直堆疊32層閃存單元，能夠在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí) 現(xiàn)256Gb多層單元(MLC)和384Gb三層單元(TLC)芯片。這些容量可使口香糖大小的固態(tài)盤提供超過3.5TB的存儲(chǔ)容量，同時(shí)使標(biāo)準(zhǔn) 2.5英寸固態(tài)盤能夠提供超過10TB的存儲(chǔ)容量。由于存儲(chǔ)容量可通過垂直堆疊單元來實(shí)現(xiàn)，單個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸可以變得非常大。這將有望提高產(chǎn)品的性 能和耐用性，甚至可以使TLC設(shè)計(jì)出色地滿足數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)的需求。
3DNAND設(shè)計(jì)
3DNAND設(shè)計(jì)的主要產(chǎn)品特性包括：
更大大容量-存儲(chǔ)容量可達(dá)到現(xiàn)有3D技術(shù)的三倍，每塊芯片的存儲(chǔ)容量最高可達(dá)48GB。該3D技術(shù)可支持在單個(gè)指尖大小的封裝內(nèi)提供0.75TB的存儲(chǔ)容量，大大提升了閃存的存儲(chǔ)空間，解決了閃存存儲(chǔ)空間小的問題。
每GB閃存成本更低-第一代3DNAND具有比平面結(jié)構(gòu)的NAND更高的成本效益，性價(jià)比更高。
高性能-更高的讀/寫帶寬、I/O速度和隨機(jī)讀性能。
綠色環(huán)保-全新睡眠模式支持低功耗使用，允許切斷不活躍NAND的芯片的電源(即使同一封裝內(nèi)其他芯片處于活躍狀態(tài)也不受影響)，從而顯著降低待機(jī)模式下的功耗。
更加智能-相比于前幾代產(chǎn)品，一系列創(chuàng)新特性顯著改進(jìn)了延遲問題和提高了耐用性，同時(shí)進(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成工作。
總結(jié)，目前，256GbMLC版本的3DNAND芯片當(dāng)前已向部分合作伙伴提供樣品，384GbTLC版本的3DNAND芯片將于今年春末開始 提供樣品。這兩款設(shè)備將在今年第四季度全面投產(chǎn)。兩家公司還在開發(fā)基于3DNAND技術(shù)的獨(dú)立固態(tài)盤解決方案系列，并預(yù)計(jì)于明年推出相關(guān)產(chǎn)品。關(guān)心閃存 領(lǐng)域的用戶可以關(guān)注下了，畢竟為閃存市場(chǎng)帶來新一輪的風(fēng)暴。
轉(zhuǎn)型的最終目的 -提質(zhì)降本增效
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