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極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世 能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本
來(lái)源:財(cái)聯(lián)社  作者: 佚名 2024-08-02 07:50:37
據(jù)日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)官網(wǎng)最新報(bào)告,該校設(shè)計(jì)了一種極紫外(EUV)光刻技術(shù),超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。

據(jù)日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)官網(wǎng)最新報(bào)告,該校設(shè)計(jì)了一種極紫外(EUV)光刻技術(shù),超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。基于此設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備可采用更小的EUV光源,其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一,從而降低成本并大幅提高機(jī)器的可靠性和使用壽命。

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關(guān)鍵詞:   半導(dǎo)體  極紫外光刻  日本 
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