7月16日消息，韓媒TheElec報道，韓國半導(dǎo)體公司周星工程(JusungEngineering)最新研發(fā)出原子層沉積(ALD)技術(shù)，可以在生產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片中降低極紫外光刻(EUV)工藝步驟需求。
極紫外光刻(EUV)又稱作超紫外線平版印刷術(shù)，是一種使用極紫外光波長的光刻技術(shù)，目前用于7納米以下的先進(jìn)制程，于2020年得到廣泛應(yīng)用。
周星工程董事長ChulJooHwang表示當(dāng)前DRAM和邏輯芯片的擴(kuò)展已達(dá)到極限，因此需要像NAND一樣，通過堆疊晶體管的方式克服這個問題。
半導(dǎo)體行業(yè)如果想要把晶體管微縮到更小尺寸，一種方案就是堆疊晶體管，其中一個佐證是深紫外線(DUV)設(shè)備有望用于生產(chǎn)3DDRAM。
Hwang說，隨著堆疊變得越來越重要，ALD機(jī)器的需求也將增加。III-V和IGZO半導(dǎo)體的生產(chǎn)也需要ALD設(shè)備。
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