摩根士丹利指出，由于近年來DRAM廠新增產(chǎn)能有限，疊加HBM消耗大量產(chǎn)能，DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級(jí)周期”，明年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供應(yīng)缺口高達(dá)23%，將比HBM更缺，為近年罕見，價(jià)格將一路上漲。大摩調(diào)升今年第三季DRAM和NAND芯片價(jià)格漲幅預(yù)估，由原預(yù)期8%和10%，上調(diào)至13%和20%，調(diào)升幅度高達(dá)六成以上。
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