中國科學院大學教授周武課題組與合作單位共同研究，提出了一種全新的基于界面耦合的p型摻雜二維半導體方法，打破了硅基邏輯電路的底層“封印”，基于量子效應獲得了三維(3D)垂直集成多層互補型晶體管電路，為后摩爾時代未來二維半導體器件的發(fā)展提供了思路。近日，該項由中國科學家主導的半導體領域新成果登上《自然》雜志。
經(jīng)過數(shù)十年發(fā)展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統(tǒng)硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內(nèi)尺寸來延續(xù)摩爾定律。發(fā)展垂直架構(gòu)的多層互連CMOS邏輯電路以實現(xiàn)三維集成技術(shù)的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。
由于硅基晶體管的現(xiàn)代工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，難以實現(xiàn)在一層離子注入的單晶硅上方再次生長或轉(zhuǎn)移單晶硅。雖然可以通過三維空間連接電極、芯粒等方式提高集成度，但是關(guān)鍵的晶體管始終被限制在集成電路最底層，無法獲得厚度方向的自由度。新材料或顛覆性原理因此成為備受關(guān)注的重要突破點。
分享到微信 ×
打開微信，點擊底部的“發(fā)現(xiàn)”，
使用“掃一掃”即可將網(wǎng)頁分享至朋友圈。
龍鳳堂蔣軍：從降本增效到全產(chǎn)業(yè)鏈管控
