近日,三星電子宣布,已成功開發(fā)12層HBM3E,計(jì)劃于今年上半年開始量產(chǎn),公司并未透露具體客戶。此外,美光科技26日宣布,已開始量產(chǎn)HBM3E,其24GB8HHBM3E產(chǎn)品將供貨給英偉達(dá),并將應(yīng)用于NVIDIAH200TensorCoreGPU,該GPU將于2024年第二季度開始發(fā)貨。
存力已成AI芯片性能升級核心瓶頸,AI推動(dòng)HBM需求強(qiáng)勁增長。英偉達(dá)發(fā)布最新AI芯片H200,內(nèi)存配置明顯提升,存儲技術(shù)提升為AI性能提升的關(guān)鍵。HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸,GPU性能提升推動(dòng)HBM技術(shù)不斷升級。HBM主要應(yīng)用場景為AI服務(wù)器,根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù),2022年AI服務(wù)器出貨量86萬臺,預(yù)計(jì)2026年AI服務(wù)器出貨量將超過200萬臺,年復(fù)合增速29%。AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
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